近日,中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展,在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国...
据报道,德国慕尼黑工业大学(Technical University Munich,TUM)科研团队研发出一款超高效超级电容器。该款储能装置以新颖...
据财联社报道,1 月 16 日,在中国电动车百人会论坛(2021)上,中国科学院院士、中国电动汽车百人会副理事长欧阳明高表示:“如果有人告诉你,这...
由中国香港城市大学(CityU)领导的一项联合研究建立了一个超低功耗的人工视觉系统来模拟人脑,成功地执行了数据密集型认知任务。他们的实验结果为下一...
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1月5日,中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在中国工程院召开发布会,发布“中国电子...
近日,国务院学位委员会、教育部正式发布了关于设置“交叉学科”门类、“集成电路科学与工程...
IGBT的结构以及常见的失效模式
半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路。
半导体五大特性∶电阻率特性,导电特性,光电特性,负的电阻率温度特性,整流特性。
硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。