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补充一点,由于很多探测信号十分微弱(比如紫外光),探测器需要工作在高压环境中以提供内部增益(比如雪崩)。由于增益效应的存在,暗电流(确切的说是漏电流)会在电压抬升的过程中得到急剧放大,对信号电流有严重的干扰作用。在半导体光电探测器中,暗电流通常是样品在外延生长中引入的晶格缺陷(体表以及体内)以及器件制备工艺中引入的晶格损伤(如刻蚀)导致的局部击穿漏电效应,也是光电探测器制备过程中较为棘手的问题。