4月22日,清华大学在清华主楼举行了集成电路学院成立仪式。清华大学集成电路学院的成立,是清华大学面向国家重大战略需求,聚焦国家关键领域,推动清华大...
韩国的研究人员声称,针对栅长超过100nm的RF晶体管,采用硅电路的三维单片集成(M3D),可以实现最高截止频率和最大振荡频率。研究人员认为,II...
据环球网报道,路透社最新消息,美国总统拜登当地时间16日与访美的日本首相菅义伟举行了会晤,路透社称,“中国是首要议题”。报道称,在白宫玫瑰园举行的...
上月,拥有 MIPS 指令集的 Wave Computing 转投 RISC-V 阵营的消息引发关注。今天,MIPS 生态的重要维护者龙芯也放弃 ...
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4月13日,最大的RISC-V架构厂商SiFive宣布,首款基于台积电5nm工艺的RI...
全球首发6nm EUV 紫光展锐5G芯片虎贲T7520提前3个月上市,在5G芯片上,除...
IGBT的结构以及常见的失效模式
半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路。
半导体五大特性∶电阻率特性,导电特性,光电特性,负的电阻率温度特性,整流特性。
硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。