陈远富，男，博士、教授， 2001年6月获四川大学材料学博士学位，2001.7月-2005.1先后在中科院物理研究所、台湾国立清华大学从事博士后研究，2005.3-2008.5先后在德国莱比锡大学、莱布尼兹固态所从事访问研究，2008年5月作为海外引进教授加入电子科技大学微电子与固体电子学院、电子薄膜与集成器件国家重点实验室。

教育背景：

    1998.09－2001.06  四川大学，材料学专业，博士学位；

    1995.09－1998.06  四川联合大学（现四川大学），材料学专业，硕士学位；

    1991.09－1995.06  四川联合大学（现四川大学），金属材料及热处理专业，学士学位；

工作履历：

    2008.05－至今        电子科技大学、电子薄膜与集成器件国家重点实验室，教授、博士生导师；

    2009.09-2009.10    德国 埃尔朗根-纽伦堡大学 ， 访问学者；

    2007.03－2008.05  德国 莱布尼兹固态材料研究所，高级研究学者；

    2005.03－2007.02  德国 莱比锡大学， 高级研究学者；

    2003.07－2005.01  台湾地区 国立清华大学， 博士后；

    2001.07－2003.06  中国科学院 物理研所、磁学国家重点实验室， 博士后；

荣誉奖励：2010年，教育部新世纪优秀人才计划；

研究方向：

石墨烯材料可控制备研究；

     大面积、高质量石墨烯薄膜可控制备；

     大规模、低成本石墨烯粉末宏量制备；

     石墨烯大畴单晶连续薄膜可控制备；

石墨烯新型器件研究：

      基于石墨烯的微电子器件（如石墨烯射频器件、微波器件等）研究；

     基于石墨烯的光电子器件（如石墨烯发光与显示器件、触摸屏器件、太阳能电池等）研究；

     基于石墨烯的储能器件（如石墨烯锂离子电池、超级电容器、锂硫电池等）研究；

     基于石墨烯的传感器件（如石墨烯应变、应力传感器、气敏传感器、生物传感器等）研究；

新型二维半导体材料制备及器件应用

     设计、计算与预测新型二维半导体：

           采用材料基因工程思路，设计与预测高性能的新型二维半导体材料（例如寻找以MoS2为代表的兼具较高迁移率与一定禁带宽度的MX2体系新型二维半导体）；

      新型二维半导体材料可控制备：

      新型二维半导体的电学、光电性能研究：

      新型二维半导体器件研究：微电子器件，光电器件 

材料制备设备：

      石墨烯薄膜CVD系统2套，可制备24*12平方英寸大面积石墨烯薄膜；

      石墨烯外延单晶薄膜；

      二维半导体CVD系统1套，用于MX2二维半导体薄膜的可控制备；

      介电外延薄膜及异质结；

      氧化物薄膜、金属薄膜；

      金属电极生长；

储能器件设备：

      锂离子电池、超级电容器封装系统--布劳恩Lab Star手套箱；

      CHI 660D 电化学工作站；

重点实验室公用设备：

      表面、结构表征之AFM、HRXRD、SEM等；

      电学性能测试之Agilent 4155B、Agilent 4294等；

      微细加工中心之全套光刻、干刻设备。