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专家学者

陈远富

研究石墨烯新型器件

    陈远富,男,博士、教授, 2001年6月获四川大学材料学博士学位,2001.7月-2005.1先后在中科院物理研究所、台湾国立清华大学从事博士后研究,2005.3-2008.5先后在德国莱比锡大学、莱布尼兹固态所从事访问研究,2008年5月作为海外引进教授加入电子科技大学微电子与固体电子学院、电子薄膜与集成器件国家重点实验室。

教育背景:

    1998.09-2001.06  四川大学,材料学专业,博士学位;

    1995.09-1998.06  四川联合大学(现四川大学),材料学专业,硕士学位;

    1991.09-1995.06  四川联合大学(现四川大学),金属材料及热处理专业,学士学位;

工作履历:

    2008.05-至今        电子科技大学、电子薄膜与集成器件国家重点实验室,教授、博士生导师;

    2009.09-2009.10    德国 埃尔朗根-纽伦堡大学 , 访问学者;

    2007.03-2008.05  德国 莱布尼兹固态材料研究所,高级研究学者;

    2005.03-2007.02  德国 莱比锡大学, 高级研究学者;

    2003.07-2005.01  台湾地区 国立清华大学, 博士后;

    2001.07-2003.06  中国科学院 物理研所、磁学国家重点实验室, 博士后;

荣誉奖励:2010年,教育部新世纪优秀人才计划;

研究方向:

石墨烯材料可控制备研究;

     大面积、高质量石墨烯薄膜可控制备;

     大规模、低成本石墨烯粉末宏量制备;

     石墨烯大畴单晶连续薄膜可控制备;

石墨烯新型器件研究:

      基于石墨烯的微电子器件(如石墨烯射频器件、微波器件等)研究;

     基于石墨烯的光电子器件(如石墨烯发光与显示器件、触摸屏器件、太阳能电池等)研究;

     基于石墨烯的储能器件(如石墨烯锂离子电池、超级电容器、锂硫电池等)研究;

     基于石墨烯的传感器件(如石墨烯应变、应力传感器、气敏传感器、生物传感器等)研究;

新型二维半导体材料制备及器件应用

     设计、计算与预测新型二维半导体:

           采用材料基因工程思路,设计与预测高性能的新型二维半导体材料(例如寻找以MoS2为代表的兼具较高迁移率与一定禁带宽度的MX2体系新型二维半导体);

      新型二维半导体材料可控制备:

      新型二维半导体的电学、光电性能研究:

      新型二维半导体器件研究:微电子器件,光电器件 

材料制备设备:

      石墨烯薄膜CVD系统2套,可制备24*12平方英寸大面积石墨烯薄膜;

      石墨烯外延单晶薄膜;

      二维半导体CVD系统1套,用于MX2二维半导体薄膜的可控制备;

      介电外延薄膜及异质结;

      氧化物薄膜、金属薄膜;

      金属电极生长;

储能器件设备:

      锂离子电池、超级电容器封装系统--布劳恩Lab Star手套箱;

      CHI 660D 电化学工作站;

重点实验室公用设备:

      表面、结构表征之AFM、HRXRD、SEM等;

      电学性能测试之Agilent 4155B、Agilent 4294等;

      微细加工中心之全套光刻、干刻设备。

  • 授课专家

    专业授课讲师

  • 吴金

    主要研究方向为基本模拟IP电路的设计技术

  • Elad Alon

    Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences

  • Borivoje Nikolic

    Digital and analog integrated circuit design

  • 杨玉梅

    主要研究射频模拟电路

  • 陈远富

    研究石墨烯新型器件

  • 刘洋

    研究射频/微波集成电路设计

  • 李晶泽

    主要研究方向是锂离子电池和薄膜太阳能电池