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我国靠啥打破全球SiC产业美欧日三足鼎立态势?

我国在第三代半导体衬底、外延材料、器件的整体水平落后于美日欧等发达国家大于3年左右。在电力电子方面,日、美、欧在地铁机车、新能源汽车、白色家电等领域已经开展了规模应用,而我国只在光伏逆变器、PFC电源、UPS等领域有小规模应用,可以说还有不小的差距。较差的基础也决定了我国发展第三代半导体产业离不开产业投资基金的支持。据初步统计,目前各地涉及第三代半导体的地方基金规模超过1600亿人民币,同时能够撬动更大规模的民间资本进入第三代半导体产业。2016年部分SiC项目投资列表:

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目前,全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大,居于领导地位,占有全球SiC产量的70-80%;欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链,在全球电力电子市场拥有强大的话语权;日本是设备和模块开发方面的绝对领先者。我国由于在LED方面已经接近国际先进水平,为第三代半导体在其它方面的技术研发和产业应用打下坚实的基础。


纵观近几年中国半导体的发展,借助产业扶持基金进行海外收购已经成为提升国内产业实力的有力武器。但考虑到第三代半导体产业的资金和技术双密集属性,特别是SiC和GaN材料和芯片大量应用于军事领域,海外收购第三代半导体相关技术和公司将会越来越困难,美国政府以“国家安全”为由阻止金沙江收购Lumiled、宏芯投资基金收购德国Aixtron就是其佐证。自主研发,全产业链提升国内在第三代半导体的竞争力已经是一个不可回避的问题。对比美欧日等发达国家,我们应该在以下几个方面做出更大努力:

  1. 集中优势资源扶持龙头企业和研究机构。在我国SiC领域本身就不具备优势的情况下,国家和地方的投资基金却又很分散的投入到很多企业里面去,大大分散本来就不足的研发投入,难以形成规模效应。

  2. 公共研发平台的参与。第三代半导体涉及多个学科、跨领域的技术和应用。很多基础性研发不是企业能够解决的。国内的研究院所大多按照领域划分,也很难形成跨领域、多学科合作。可以以国家项目形式组织多个研究院所共同攻克基础技术。

  3. 产业规划先行。借助行业协会的力量,先行规划产业发展线路,在标准、检测、认证等方面内容。是产业发展更趋合理性和指导性。解决现行标准、检测、认证等规则、程序和新材料产业发展特点不匹配之处。

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