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宽禁带功率半导体标准,将有力推动GaN和SiC技术的应用

JEDEC成立新的JC-70宽禁带半导体委员会

9月,微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC固态技术协会宣布组建一个新的JEDEC委员会——JC-70宽禁带功率电子转换半导体委员会。JC-70委员会由来自德国英飞凌公司、美国德州仪器公司、美国科锐公司旗下Wolfspeed公司的几位临时主席领导,最初将包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)两个小组委员会,重点关注可靠性和认证程序、数据表元素和参数以及测试和表征方法。JC-70的第一次委员会会议将于2017年10月30日在纽约州阿尔伯克基举行,与第五届IEEE宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA)在同一时间和地点举办,JEDEC会议仅向委员会成员和特邀嘉宾开放,欢迎全球感兴趣的公司加入JEDEC参与这一重要的标准化工作。


GaN和SiC将首先从新标准中受益

GaN和SiC是最成熟的宽禁带(WBG)功率半导体材料,为实现更高性能、更紧凑体积和节能的电力系统提供了巨大的潜力。英飞凌公司GaN应用和市场营销高级总监Tim McDonald表示,宽禁带GaN和SiC技术将有望从开发相关标准中受益,这些标准的重点包括质量和可靠性、数据表和测试方法。


成立专家工作组为宽禁带标准制定保驾护航

在2016年春季的行业会议上,首先成立了一个行业专家工作组——GaNSPEC DWG,为GaN标准的制定奠定了必要的基础。随后,JEDEC开始向该工作组提供后勤保障。


德州仪器公司的高压技术创新架构师Stephanie Watts Butler博士表示,为了满足当今能源和产品要求的需求,该工作组正在帮助客户为设计供电电源创造成熟的行业基础设施。学术界和产业界的广泛参与表明了宽禁带半导体符合这些要求的重要性。


随后,类似GaNSPEC DWG工作组的SiCSPEC工作组成立。这两个工作组发展成包括近五十家来自美国、欧洲和亚洲的器件制造商、设备制造商、技术创始人、学术代表和政府实验室。


JC-70意义重大

Wolfspeed公司业务开发和项目经理Jeff Casady博士表示:“我们的共识是,JEDEC是以一种公共论坛的形式持续为行业效力,团队很高兴邀请行业成员参与到这个新的JEDEC委员会JC-70。制定明确又通用的标准是推动宽禁带技术应用的关键一步。这些新参数将使用户能够把SiC和GaN器件设计到未来的系统中,从而创造一个更加节能的未来。”


JEDEC会长John Kelly补充表示:“JC-70委员会的成立是JEDEC持续努力的一部分,旨在将我们的标准制定专长扩展到新技术领域以满足市场需求。我们欢迎所有感兴趣的公司参与JEDEC开放的行业标准的制定。”


关于JEDEC

JEDEC固态技术协会是微电子行业标准制定的全球领导者,拥有近300家会员公司,通过超过50个JEDEC委员会共同制定标准,以满足行业各领域、制造商和消费者的需求。JEDEC委员会的出版物和标准在全世界范围内被认可。

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