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三星宣布量产第 2 代 10 纳米 FinFET 制程,产品预计 2018 年首季问世

韩国科技大厂三星电子于 29 日宣布,已经开始大规模量产以第 2 代 10 纳米(nm)FinFET 制程技术(10LPP)为基础的单芯片系统(SoC)产品,其搭配该单芯片系统的电子产品,也预计将在 2018 年首季问市。


三星表示,针对低功号产品所研发的第2代10纳米(nm)FinFET 制程技术(10LPP),相较于第1代10纳米(nm)FinFET 制程技术(10LPE),10LPP 的制程可使性能提高 10%,功耗降低 15%。而且,由于该制程是延续于已经量产中的10LPE制程,所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间,并提供更高的初期生产良率,因此更具有市场竞争优势。


三星进一步表示,采用10LPP制程技术制造的单芯片系统产品,预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场营销副总裁 Ryan Lee表示,透过从 10LPE制程向10LPP制程的迈进,三星将能够更好地为客户提供服务,同时提高性能,提高初期产量。


另外,三星还同时宣布,位于韩国华城的最新 S3 生产线,目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂,其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴(Giheung)的S1,以及位于美国奥斯汀的S2。根据规划,三星的7纳米FinFET制程技术与EUV(Extreme Ultra Violet)技术也预计将在 S3 晶圆厂中于2018年开始大量生产。

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