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三星宣布量产 10 纳米制程 32GB DDR4 DRAM

三星电子 30 日宣布,已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组(SoDIMM)规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造,可以用户享受丰富的电竞游戏之外,并具有更大的容量与更快的速度,而且佣有更低的耗能表现。

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SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module),小型双列直插式内存模块。它是一种类型的计算机内存模组,主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。相对于DIMM来说,SO-DIMM具有更小的外形尺寸(大致是正常DIMM尺寸的一半)。因此,SO-DIMM主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。SO-DIMM具有72管脚(支持32位数据传输)或144管脚或200管脚(支持64位数据传输)。


为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求,SO-DIMM (Small Outline DIMM Module)也开发了出来,它的尺寸比标准的DIMM要小很多,而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同,SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚,而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin,DDR2为 214pin;Mini Registered DIMM接口为244pin,主要用于DDR2。


三星指出,通过使用新的存储器解决方案,个人电脑制造商可以设计速度更快,针对顶级游戏的电竞笔电产品。其电池续航时间可以较过往产品更长,甚至超越传统的移动工作站的效能,却同时保持现有的笔电的轻巧配置。三星电子存储器市场高级副总裁 Sewon Chun 指出,三星的 32GB DDR4 DRAM 存储器将会为笔记本电脑带来前所未有的游戏体验。而且,三星还将继续为包括高接笔记本电脑,台式机在内的所有分众市场提供最先进的 DRAM 产品组合,并提高其速度和容量。

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新推出的 32GB DDR4 DRAM 存储器模组,与三星本身在 2014 年推出,以 20 纳米制程技术所生产的速度 8GB,容量为 16 Gb DDR4 SoDIMM 相比,新款 32GB 存储器模组除了容量增加一倍之外,速度也提高了 11%,能效提高了约 39%。根据测试,配置有两个 32GB DDR4 存储器模组的 64GB 容量笔电,其在主动模式下,功耗不到 4.6 瓦(W),闲置时功耗更低于 1.4W。与目前配备 16GB 存储器模组,针对电竞市场的笔记本电脑相比,分别降低了大约 39%,以及降低超过 25% 的用电量。


三星进一步指出,目前已经开始积极扩展其 10 纳米等级制成的 DRAM 阵容。其中,包括了 16Gb LPDDR4,16Gb GDDR5 和 16Gb DDR4 等产品。这对于未来在移动、图形、个人电脑和服务器领域迎接速度 16Gb DRAM 的新时代,以及应用在包括高效能运算及汽车电子等领域将会有很大的性能提升助益。

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