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以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。


“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日,科技部高新司在北京组织召开项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

 

“十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,将“战略先进电子材料”列为发展重点之一,以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心,以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点,推动跨界技术整合,抢占先进电子材料技术的制高点。

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