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Integra公司推出用于敌我识别器航空电子设备的射频和微波晶体管

Integra技术公司正在推出用于电子战、雷达、航空电子设备、国防、通信,以及情报、监视和监控(ISM)应用的IGN1011L120 IFF晶体管。


通过使用氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术,该晶体管可提供120瓦的峰值输出功率。


IGN1011L120晶体管专为敌我识别(IFF)航空电子应用而设计,是一种高功率GaN晶体管,专为AB类操作而设计。


该晶体管工作在1.03 - 1.09 GHz,在50伏偏置电压和6.4%占空比下提供至少120瓦的峰值脉冲功率。


该单元采用金属金属化的芯片和线材技术组装而成,采用金属封装,并用陶瓷环氧树脂盖密封。


这种用于新设计的100%高功率RF和微波测试晶体管在ELM模式S脉冲条件下具有17dB的增益和75%的漏极效率:48x(32us On,18us Off),6.4%占空比。

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