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芯片结构及失效模式
主讲人:陈光
上传时间:2017/4/20 16:23:33
课程简介:IGBT的结构以及常见的失效模式


课程详细

    为了获得尽可能低的通态压降,IGBT选用的硅单晶电阻率及设计的芯片基区宽度都是被控制在尽可能小的范围,这决定了IGBT的集电极额定击穿电压并不像工频器件那样可有较大的余量,因此当IGBT承受的电压超过其额定值时极有可能造成永久性损坏——电压击穿失效。


【注】:播放该视频时,推荐使用IE浏览器以及360安全浏览器的兼容模式下播放。

  • forever snow | 2017/6/1 15:22:51

    还不错哟