离子束刻蚀机 IBE
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体
技术指标:
装片： 6英寸、4英寸、2英寸，向下兼容；
本底真空：5E-4Pa，
工作真空：2E-2Pa，
温度：20度。
极限真空度：1×10-4Pa；
离子能量：≤350eV。（标准工艺，离子能量可选300eV或350eV）
工艺参数：常规金属比如Au,按300eV，刻蚀速率可达35-37nm/min,按350eV,刻蚀速率可达55nm/min。
一次可刻蚀6寸片/4寸片/3寸片一片或2寸片4片。刻蚀均匀性<±5%。
最少一小时起约，预约请注明刻蚀材料及厚度。
应用领域:
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。用于刻蚀较难刻蚀的物质及金属。
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LED光电测试系统
用于测量LED光谱功率分布、空间光强分布、电性能测试分析
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离子束刻蚀机 IBE
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体
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磁控溅射-LAB18
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜
