四探针测试仪
用于测量硅片
技术指标:
电压：3mV、30mV、300mV
电流：100nA、1uA、10uA、100uA、1mA、10mA、100mA 探针间距1mm
8英寸样品向下兼容。
应用领域: 用于测量硅片、外延层、扩散层、ITO、离子注入层、金属薄膜等的电阻率和方块电阻。
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LED光电测试系统
用于测量LED光谱功率分布、空间光强分布、电性能测试分析
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离子束刻蚀机 IBE
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体
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磁控溅射-LAB18
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜
