LPCVD-CALOGIC
Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜，电容的介质膜
技术指标:
价格： 800/60分钟
单位预约时间： 60(单位:分钟)
淀积速率：2.5nm/min-4.0 nm/min
衬底表面温度控制：700℃-850℃
控温精度：±1℃
气体/压力控制精度：±0.5%
温度控制显示精度：0.1°C；
应用领域:
Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜，电容的介质膜等。
在工艺中我们通常使用的气体是：NH3 DC（SiH2Cl2）。这两种气体的反应生成的Si3N4质量高，副产物少，膜厚均匀性极佳，而且气体源便于精确控制流量，（气体流量，压力等参数可根据不同工艺要求而自行调节），是目前国内外普遍采用的方法。
反应式： 3SiH2Cl2 4NH3 = Si3N4 6HCl 6H2
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