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6英寸双面对准光刻机
光刻胶曝光后通过显影可以将掩膜板上的图形转移到wafer上

技术指标:    

设备特点:

1、宽带光源365,紫外接近,接触式光刻,可实现双面对准与键合对准。

2、最大曝光面积φ150mm6寸。分辨率:1μm。套刻精度:±1μm。 

样品大小: 1、标准片(φ2/4/6英寸);2、小片(大于10×10mm小于2寸);3、其它;4、晶元厚度小于3mm。

光刻胶类型: 1、AZ5214(厚度1.6~2.5μm,可反转);2、AZ6112(1.0~2.0μm,正胶);3、AZ4620(厚度8~30μm,正 胶);4、双层(底层LOR10A,20B,30B);

光刻板说明:6寸片子7寸版,4寸片子5寸版,3寸片子4寸以上版,最小2.5寸版

预约说明:委托加工起约 1小时,减薄后的样品在光刻的过程容易裂片,如InP、 GaAs样片,委托操作前必须先跟工作人员说明。

   

应用领域:    

把芯片制作所需要的线路与功能区从掩膜板转移到样品上面,利用光刻机发出的光通过具有图形的掩膜板对涂有光刻胶的wafer曝光,光刻胶曝光后通过显影可以将掩膜板上的图形转移到wafer上。