技术指标:    

设备特点：

1、宽带光源365，紫外接近，接触式光刻，可实现双面对准与键合对准。

2、最大曝光面积φ150mm6寸。分辨率：1μm。套刻精度：±1μm。 

样品大小： 1、标准片（φ2/4/6英寸）;2、小片（大于10×10mm小于2寸);3、其它；4、晶元厚度小于3mm。

光刻胶类型： 1、AZ5214（厚度1.6~2.5μm，可反转）;2、AZ6112（1.0~2.0μm，正胶）;3、AZ4620（厚度8~30μm，正 胶）;4、双层（底层LOR10A，20B，30B）;

光刻板说明：6寸片子7寸版，4寸片子5寸版，3寸片子4寸以上版，最小2.5寸版

预约说明：委托加工起约 1小时，减薄后的样品在光刻的过程容易裂片，如InP、 GaAs样片，委托操作前必须先跟工作人员说明。

应用领域:    

把芯片制作所需要的线路与功能区从掩膜板转移到样品上面，利用光刻机发出的光通过具有图形的掩膜板对涂有光刻胶的wafer曝光，光刻胶曝光后通过显影可以将掩膜板上的图形转移到wafer上。