OXFORD 80+ 牛津仪器
应用于各种产品的研发以及小批量生产
OXFORD 80 牛津仪器
技术指标:
样品尺寸:最大240 mm衬底,最佳为100 mm衬底;
真空度范围:<100-2000 mTorr;
RF功率:10-300W;
衬底温度:100-380℃。
可淀积材料:SiO2、SiNx。
可刻蚀材料:SiO2、SiNx及光刻胶的释放。
责任工程师:刘 彬
地 点:102室
应用领域:
Oxford 80 RIE刻蚀机为筒形反应器,可同时放置多片样片,广泛应用于各种产品的研发以及小批量生产。
其等离子体放电电场通过反应器壁上的电极耦合到反应器空间。利用它可以实现SiO2、SiNx、SiC的刻蚀以及光刻胶的释放。此外,它配置了直接开启式工艺平台,可以根据客户需要分别进行RIE(反应离子刻蚀)或PECVD(等离子增强型化学气相沉积)模式,应用灵活。
用于测量LED光谱功率分布、空间光强分布、电性能测试分析
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜