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OXFORD 80+ 牛津仪器
应用于各种产品的研发以及小批量生产

OXFORD 80 牛津仪器

技术指标:    

样品尺寸:最大240 mm衬底,最佳为100 mm衬底;

真空度范围:<100-2000 mTorr;

RF功率:10-300W;

衬底温度:100-380℃。

可淀积材料:SiO2、SiNx。
可刻蚀材料:SiO2、SiNx及光刻胶的释放。

责任工程师:刘 彬

地 点:102室

   

应用领域:    

Oxford 80 RIE刻蚀机为筒形反应器,可同时放置多片样片,广泛应用于各种产品的研发以及小批量生产。

其等离子体放电电场通过反应器壁上的电极耦合到反应器空间。利用它可以实现SiO2、SiNx、SiC的刻蚀以及光刻胶的释放。此外,它配置了直接开启式工艺平台,可以根据客户需要分别进行RIE(反应离子刻蚀)或PECVD(等离子增强型化学气相沉积)模式,应用灵活。