4H-SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。4H-SiC PIN二极管在很多领域有用途。本文针对4H-SiC材料中的缺陷对SiC-PIN二极管特性的影响进行研究，介绍了 PIN二极管的结构与工作机理。

功率半导体器件最早都是由晶闸管后来变成GTO到mosFET，到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比，主要是驱动比较简单，同时损耗比较小，比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的功率半导体器件，都被誉为传统系统，在高铁里一样，把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换，是电机控制系统的CPU。

如今，随着技术的发展，静态UPS的功率损耗逐渐下降。早期具有输入和输出变压器的采用晶闸管技术的在线式UPS(简称双变换式UPS或IEC的“VFI”)的满载运行效率为83%-85%。而目前采用晶体管(IGBT)技术的在线互动式(VI)无变压器UPS的满载效率已达到97.5%-98%。

多晶硅源漏SiC MOSFET是一种新型结构的 SiC MOSFET器件。该器件使用多晶硅/SiC异质结代替了重掺杂的pn结来做MOSFET的源和漏区，从而避免了SiC离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大，注入激活率低等问题。这种器件结构可以通过同时氧化多晶硅和SiC形成栅氧和侧墙，解决了隔离墙工艺复杂等问题。

随着信息技术的飞速发展，在通信、雷达、国防等领域，对于功率器件的性能要求越来越高。基于第三代宽禁带半导体GaN材料的AlGaN/GaN HEMTs器件因其优异的材料特性和器件结构备受瞩目，GaN材料拥有较大的禁带宽度和电子迁移率，较好的热稳定性和化学稳定性，因而在大功率和高频领域有着广泛的应用前景而受到关注和研究。本论文将对HEMTs器件进行仿真设计与关键工艺的实施，对性能进行优化，...

2017年4月英国政府启动“使用模式控制蓝色激光器实现量子冷却”(CoolCube)项目，为期14个月，寻求研发下一代氮化镓(GaN)激光器技术来实现原子冷却量子传感器。该项目由英国工程和自然科学研究委员会(EPSRC)提供资金支持，每年在研究和博士后教育上总共投入8亿英镑。EPSRC是英国最主要负责为工程和自然科学提供资金支持的机构。

SiC纵向MOSFET是功率电子器件领域的热门研究课题之一。与传统半导体材料Ge，Si以及 GaAS相比，第三代宽禁带半导体SiC以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温﹑大功率﹑低功耗电子器件的理想材料。在大功率低功耗方面，具有耐高温﹑低导通电阻的4H-SiC 纵向MOSFET具有广阔的应用前景。

济南市庆祝“五一”国际劳动节暨劳动模范先进工作者命名大会于4月28日在济南龙奥大厦隆重举行，省委副书记、济南市委书记王文涛和济南市委副书记、市长王忠林等领导同志出席表彰大会，350名济南市劳动模范和济南市先进工作者受到表彰。会上，山东天岳公司宗艳民董事长荣获“济南市劳动模范”荣誉称号，王忠林市长代表中共济南市委、济南市人民政府向宗艳民董事长颁发“济南市劳动模范”证书及奖章。