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半导体设备PVD,CVD,磁控溅射这类技术与离子注入技术区别?

马可 | 2017/3/29 10:11:58

是不是PVD,CVD,磁控溅射是以前半导体行业制造薄膜的方法?而离子注入是新一代半导体制造薄膜的方法?那为什么液晶面板厂还都用PVD,CVD,磁控溅射这类技术?


  • baby one  |   2017/3/29 10:20:31

    芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、封装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而封装工序、测试工序为后段(Back End)工序。



  • Rose  |   2017/3/29 10:21:16

    PVD是指physical vapor deposition 和CVD是指chemical vapor deposition,顾名思义,前者是采用物理方法(常用的为溅射、蒸发)实现薄膜沉积,主要用于沉积金属薄膜和介质薄膜,常用设备有磁控溅射台和电子束蒸发台;后者则通过化学反应的方法实现沉积,主要用于沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅膜层,根据用途不同,还可以细分为PECVD、LPCVD、ICPCVD等。磁控溅射是PVD方法中的一种。离子注入是指通过高能量(远高于PVD)将离子注入到现有基底里去,注入的离子替换掉基底原子或存在于原子间隙中,而不是在表面形成新的膜层,常用于实现半导体掺杂。一言蔽之,离子注入技术虽然出现较晚,但其功能与PVD、CVD完全不同。