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假如有一块N型半导体,参杂比较高,和另一块参杂较低的N型半导体接触,这样的“N-N”结构会有什么样的电流特性呢?会不会还有P-N结正向导通和反向截流的性质?
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不赞同。是可以形成耗尽层的,掺杂高的N型半导体中的电子会扩散至低掺杂的半导体中,留下不易扩散的电离施主形成耗尽层。陈星弼的微电子器件第二章有一道课后习题就是算NN结构的耗尽层宽度或者是自建电场强度的。